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正文 第一百三十一章 光刻机技术路线
将硅晶圆浸入显影液中,溶解掉光刻胶中发生化学变化的区域。这样,光掩膜上的图案就被准确地转移到硅晶圆表面的光刻胶上。



光刻胶图案形成后,通过刻蚀、掺杂或金属沉积步骤将逐层构建出完整的芯片。



在没有线上百科,不对,现在已经有ora百科了,总之能够准确说出arf和krf证明周新在光刻机领域还是有比较深入研究的。



毕竟很多光刻机领域的从业人员都不知道还有arf这条技术路线。



林本坚说:“arf的波长是193n,而krf光源的波长是248n,较短的波长有助于实现更高的分辨率和更精细的图案。”



周新问:“但是arf他在具体处理更小的制程节点的时候,会出现更多的线性波动和不规则性。



虽然arf波长更短,但是它的不可控性更高。



这对于工业化生产来说是大忌。这才是为什么尼康也好,asl也好,在尝试过arf之后,都不愿意继续朝着这个方向投入研发成本的最重要原因吧。”



周新话音刚落,林本坚脸色大变,周新知道arf和krf,这他能理解。



因为这些都是发表在公开期刊上的内容,但凡对光刻机感兴趣的人,都有机会到。



但是周新能够准确说出不往arf方向投入的原因,即便从业人员,都没有办法知道的内容。



这一章的科普性质内容有点多,但是没办法,不说清楚光刻机怎么作业,大家会看的一头雾水。



科普内容一共是400字,也就2币,算一下也还好。



本章完
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