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正文 第一百三十二章 提前截胡台积电(4K)
波长的光源。



“相对于g线和i线,krf需要新的光刻胶和抗反射涂层材料来适应krf光源的特性。



同时krf要求更高性能的光学系统和光掩膜材料。当时需要采用更先进的透镜和光学元件,以实现更高的数值孔径和分辨率。



此外,光掩膜材料也需要具有更低的散射和吸收特性。



krf还需要优化曝光过程,以提高成像质量。我们当时主要采用了双重曝光和离焦曝光技术来降低光刻误差。



让我想想,对了,我们当时在研发krf光源的时候还要对控制进行考虑,因为krf实现了更高的分辨率,所以需要更严格的制程控制要求。



需要对光刻胶涂覆厚度、曝光剂量、显影过程等参数进行更精确的控制,以保证光刻成像质量和产量。



这么多困难,我们照样克服了,最终krf光源代替了g线和i线,成为了今天的最先进的制程光源。



同样未来短波长的光源势必然会代替长波长的光源,这是技术进步的必然。



我们刚刚讨论的困难只是暂时的困难。”



asl、尼康和佳能只是暂缓了在arf上的投入,而不是停止了在arf技术路线上的投入。



后来asl实现弯道超车,也是因为他们选择了正确的技术路线,arf光源以水为介质,在光刻胶上面抹一层水。



水的介质折射率是144,193纳米÷144≈134纳米,arf光源的波长进一步减少了。



asl能够干掉尼康和佳能,垄断光刻机领域,他们在技术路线的两个关键节点都做出了正确的选择。



应该稳健的时候他们比尼康稳健,从而在光刻机市场站稳了脚跟。



应该激进的时候他们比尼康激进,从而占据了高端市场,把高额利润全部吃掉了,后续一直保持住了技术领先。



arf技术路线突破之后,arf的波长是193n,他最多能够制造65n的芯片。



如果要制造40n制程以下的芯片,需要找到160n以下的光源。



尼康和佳能等企业选择的是157n的f2激光,而asl找到了光源做介质直接一步到位了。



当然没有加一层水那么简单。



“我关于arf技术路线一直认为是有办法解决的。



首先是需要专门针对arf光源设计对应的光刻胶,其次是研发抗反射涂层,然后是改进光刻机的光学系统,找蔡司定制更先进的透镜。



来实现更高的数值孔径和分辨率。



同时在曝光过程中进行优化。我专门针对arf光源设计了一套分辨率增强技术。



包括辅助特征、离轴照明、双曝光技术等,用以改善图案传输质量和提高分辨率。”林本坚很兴奋,难得见到这么懂arf技术的同行。



其他懂这玩意的都签了保密协议,林本坚和他们聊的很不尽兴。



华国差的不仅仅是光刻机,差的是整个高端制造业,即便能造出光刻机,光学镜头也能卡你脖子。



不过蔡司是德意志企业而且没上市,阿美利肯的长臂管辖管不到蔡司。



周新听完之后感慨对方不愧是大师级人物,还没有加入台积电已经有完整的计划了。



同样一件事,有的人是纸上谈兵,有的人是决胜千里之外。



华国价值观以结果为导向,周新知道林本坚未来的成就,更别说林本坚说的这些都是绝对的干货。



又和林本坚探讨了一番arf技术路线的未来后,周新问:“林伯,我打算成立一家光刻机公司,我需要真正懂行的人来帮我。



你有没有意愿来帮我做事,我给你的职位是研发主观。



首批研发资金十亿美元,我给你百分之二十的股份,但是你加入之后需要签竞业协议,同时我们的光刻机公司会放在华国。”



林本坚听完前半句话想马上答应下来,十亿美元的

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