果这种情况下，旧光刻工艺的残余物影响到新一次的光刻胶附着，导致试验效果不好的话，再考虑光刻——送1274蚀刻——光刻这个试验流程。



光是线宽10μ，其实光刻机的制程是到不了10μ的，因为决定光刻机制程的，还有其他参数，其中很重要的一个就是套刻精度，也正是今天高振东最终要测试的东西。



凡是做集成电路，哪怕工艺简单如pos，都是需要套刻的，因为一次光刻连晶体管都做不出来，更别说形成完整电路了。