不是我不一次性说完，而是我每说一句话，你都要打断我发表一点儿什么意见，利诺奇卡心想。



“煤油？煤油的热值是要比酒精高，啊哈，难道这就是原因？”



部长同志这才有些释然。



并不是他一定要找点什么原因才能让自己高兴，而是这些情况单独看起来都不算什么，可是全部组合到一起，就多少有一些让人惊讶了。



更大的射程，更大的战斗部，同等的尺寸和重量，这说明对方一定有什么自己不知道的技术。



“部长同志，我们要不要试一试把P-15的酒精换成煤油？”



P-15，就是544导弹。



“噢，不！基层的达瓦里氏们会抱怨的，至少现在的P-15不能换！他们已经习惯维护这种导弹了，不是么？”



不得不说，作为部长，还是非常体恤一线基层的同志的。



咱们正毛旗的兵，就爱维护酒精燃料！



“利诺奇卡同志，如果那边还有什么新的消息，一定要早一点告诉我。顺便告诉卢比扬卡的同志，他们需要付出更多努力了！”部长同志总是觉得其中有哪里不对，但是又不知道哪里不对。



——



老毛子的纠结，高振东并不知道，他正在纠结自己的事情。



其实也不是纠结，只是在繁杂的工艺中选出一条合适的路来。



虽然已经选定了MOS技术，可是MOS技术也有PMOS（P沟道MOS）、NMOS（N沟道MOS）、CMOS（互补MOS）等等。



这些技术的每一道工序，又有不同的选择。



就好像搭积木，要搭出一个公园来，有不同的搭法，正所谓杀猪杀屁股，各有各的杀法。



不过在MOS的种类上，高振东倒是没什么好纠结的，PMOS直接上就行了，作为最早的MOS技术，自然是有他的优点的。



猜猜它为什么最早？简单啊！



PMOS只需要五次光刻就能搞定。



P区光刻、栅光刻、接触光刻、金属光刻、压焊块光刻，并在每次光刻中间加上不同的淀积或者氧化工序。



分别形成P区、栅极、对外接触孔、芯片内布线和封装时用的引出焊点。



而且，其中掩膜需要严格对准套刻的，只有第二次栅光刻，其他时候的对准要求都不是那么高，这就让手上的技术条件有限，捉襟见肘的高振东感到很舒服。



抛开封装，只是从硅片到布满成品芯片核心（DIE）的半成品，只需要12步工艺，就这，还包括准备硅片那一步工艺。



甚至不想要钝化那一步的话，只要前4次光刻就足够了，与之相应的工艺也减少到了10步。



这是真的简单，而且对材料的要求也不高。



只需要考虑引入三种元素。



——形成氧化保护层的氧、形成栅极的硼、还有形成金属导线的铝。



其中铝都不用考虑掺杂扩散的问题，只是用于沉积。



某退休老头：真是太好玩儿了.jpg。



而NMOS和CMOS的难度，可就比PMOS大多了，PMOS别的不说，至少做逻辑集成电路没问题，而且，这玩意10μm的制程是能做C8008的，其实做更高的制程也没问题。



选定了PMOS，高振东很快就把工艺路线给确定下来了。



不要最后一步钝化，4次光刻，只到金属光刻完成为止。



至于为什么选这个，当然是因为简单了，而且他一开始是做比较粗的制程的，这个程度也就够了。



而且，少这一步，成本也会下降。



先把逻辑门电路拿出来，支撑住DJS-60D的生产，然后再去搞更好的。



先解决有没有，再解决好不好。



选定了这些，抄起书来，那就