快了，高振东花了一个下午飞快的把书抄完，第二天一個电话打给了已经有点儿望眼欲穿的1274厂。



一个多小时过后，吕厂长和鲁总工带着人联袂而至，就等着这一天呢。



看着高振东给出的工艺设计指导文件，两人有点懵，这玩意比起原来的，怎么还变薄了？



先进技术，必定复杂，一旦复杂，那资料就会很厚，大家都这么想。



“高总工，这工艺是先一部分一部分的做，这里是前期我们要做的事情？”鲁总工问道。



高振东一头雾水，我什么时候说过一部分一部分做了：“没有啊，这里就是全部了。”



“全部？”两人大惊失色，这怎么可能？



高振东笑着把工艺的简单概况给他们解释了一遍，两人陷入了“我不懂，但我大受震撼”的状态之中。



高振东只好解释了一下：“PMOS技术虽然新一点，但是从工艺上来说是要简单一些的，最符合我们现在的情况。”



鲁总工大喜过望，对着双极型晶体管半导体那复杂的工艺抠掉了半脑袋头发的他，觉得这是今天听到的第一个好消息，也是最好的消息，高总工有才啊。



“高总工，你是说这个技术，只要这么几次光刻，几十步工序，就能完成双极型半导体要一百多步工序才能完成完成的事情？”



高振东笑道：“技术的发展其实本来就是这样的，先进不等于复杂，有的先进技术可以简单到我们难以想象。”



甚至看起来还超级土鳖，高振东心想。



对于高振东，他们两人还是很相信的，这位说的话，基本上还从来没有落空过。



“高总工，这太好了，我们需要做什么？”



高振东道：“我看现在厂里的情况，是有扩散炉的对吧？”



吕厂长点点头：“是的，这是我们基础生产设备之一，很多。”



“那最高的温控精度有多高？到得了正负1摄氏度不？”高振东问道，这个精度涉及到扩散掺杂效果。



这个鲁总工清楚：“这个到不了，有点差距，主要是传感器问题。”



现在他们用的K型热电偶，测温范围没有问题，但是精度就差不少了，2.5摄氏度或者千分之7.5，对于这个精度要求差了老远。



高振东想了想，没有推荐B型热电偶，B型的千分之2.5的误差也差点意思，而且反应速度慢。



“加一个铂电阻吧，间接测量，作为辅助传感器，配合K型热电偶，加上DJS-60D跑PID控制算法，应该是能控制得住的。”



铂电阻反应速度也慢，不过这个可以算法手段加以某种程度上的解决，铂电阻精度就远超需求了，最好的可以到千分之三摄氏度。



铂电阻最大的问题还是测温范围问题，半导体生产中需要用到1000摄氏度以上的范围，是超过铂电阻的测温范围的，不过间接测量设计得好的话，问题不大。



所以高振东拿出了铂电阻间接测量+K型热电偶直接测量的办法，一个测得准，一个测得快，双剑合璧，天下无敌。



他不知道日后的扩散炉是怎么解决这个问题的，反正在他这里，他就这么解决。



之所以这个扩散炉这么重要，主要是很多工序都靠这个。



氧化、淀积、扩散、扩散-氧化，这些都靠这玩意了。



扩散-氧化本来还有一种工艺的，但是高振东没有选，因为选择那种工艺会多出来一种叫做外延反应系统的设备，那就麻烦了。



所以高振东选择的还是能靠扩散炉完成“热氧化法”。



高振东想了想，又给了一笔支持：“到时候我这边支持你们一些专门搞计算机控制和热电偶应用的技术人员，负责配合你们搞这个事情。”



鲁总工他们这下放下了心，高总工这里的精兵强将亲自支援，那就好办多了。



高振东也很开心，PMOS技术芯片制造阶段的三大核心设备，一个光刻机，一个扩散炉都有了，就剩下一个了。<